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Résumé IA
Moments clés
Lancement du processus 1 nm Intel 10A
Intel prévoit de commencer la production en série du processus Intel 10A à la fin de 2027.Transition technologique RibbonFET
Intel passera des transistors FinFET aux nanofeuilles avec le processus Intel 20A.Investissements et stratégie concurrentielle
Intel investira 100 milliards de dollars et ouvrira ses installations à d'autres entreprises pour rivaliser avec TSMC et Samsung.Volumes de production et litographie
D'ici 2026, Intel produira deux fois plus de plaques Intel 20A/18A que sur Intel 4 et 3, en utilisant la lithographie EUV et DUV.Lors de l’événement Intel Foundry Services Connect la semaine dernière, le géant technologique a présenté le processus Intel 14A (de la classe 1.4 nm), qui sera mis en place aux côtés des processus Intel 18A et Intel 20A. Intel a annoncé que la production en série de ce processus débutera en 2026. À présent, la société partage les premières informations concernant le processus Intel 10A (de la classe 1 nm).
Début de la Production en 1 nm d’Intel en 2027
Selon la présentation actuelle d’Intel, la production en série du processus Intel 14A commencera en 2026. Le nouveau processus Intel 10A, qui est un nœud de production de silicium d’une classe de 1 nm, avancera vers la production en série vers la fin de l’année 2027. Pour ceux qui ne le savent pas, Intel utilise depuis un certain temps l’extension « A » pour ses processus de fabrication. Cette extension représente l’Angström, où 10 Angströms équivalent à 1 nm.
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Actuellement, malgré l’utilisation de la lithographie EUV (ultraviolet extrême), les installations telles qu’Intel 4, Intel 3 et Intel 20A ne représentent que 15 % du volume des plaques de silicium d’Intel, la majeure partie de la production d’Intel étant concentrée sur Intel 7, qui est basé sur la lithographie DUV. Cependant, avec le temps, les volumes se déplaceront vers d’autres processus, comme indiqué dans le graphique ci-dessus. Intel prévoit que d’ici 2026, il produira deux fois plus de plaques de silicium Intel 20A/18A par rapport à Intel 4 et Intel 3.
Bien qu’Intel 4 et Intel 3 utilisent la lithographie EUV, ils seront les derniers nœuds où Intel appliquera des transistors FinFET, car l’entreprise passera aux nanofeuilles avec Intel 20A (appelé RibbonFET dans le jargon d’Intel). Enfin, Intel n’a pas donné de détails sur son processus Intel 10A, mais on s’attend à ce qu’il offre une augmentation de performances de 15 % par rapport à Intel 14A.
Les difficultés rencontrées par Intel dans le processus de 10 nm ont entraîné d’importantes pertes pour l’entreprise, mais d’importants investissements ont été réalisés au cours des dernières années pour éviter que cela ne se reproduise. La société a ouvert de nouvelles installations à travers le monde et vise à maintenir une production diversifiée dans ces installations. Avec un changement de stratégie, Intel rendra son infrastructure d’installation flexible pour permettre à d’autres entreprises d’utiliser ses installations, et elle deviendra effectivement un concurrent direct de TSMC et de Samsung. De plus, l’entreprise prévoit d’investir 100 milliards de dollars au cours des cinq prochaines années.
